瀏覽 的方式: 作者 陳衛國

跳到: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字:  
顯示 61 到 80 筆資料,總共 109 筆 < 上一頁   下一頁 >
公開日期標題作者
2006氮化銦奈米粒之成長與特性分析傅少甫; Shao-Fu Fu; 陳衛國; Wei Kuo Chen; 電子物理系所
2000氮化銦鎵-氮化鎵之多層量子井藍光發光二極體之電容量測劉建忠; C. C. Liu; 陳衛國; Prof. Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2000氮化銦鎵和氮砷化鎵三元化合物薄膜製備及光電物理性質研究陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理系
1997氮化銦鎵有機金屬化學氣相沉積法熱力學磊晶模型分析楊盛筆; Yang, Sheng-Bi; 陳衛國; Chen, Wei-Kuo; 電子物理系所
1997氮化鎵之電性研究鍾旺成; Chuang, W. C.; 陳衛國; Chen, Wei-Kuo; 電子物理系所
2000氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫I:氮化物藍光波段元件結構磊晶研究(II)陳衛國; WEI-KUOCHEN; 交通大學電子物理系
2000氮化鎵族光電材料與元件之研發---子計畫一:氮化物藍光波段元件結構磊晶研究陳衛國; WEI-KUOCHEN; 國立交通大學電子物理學系
1999氮化鎵材料製程研究--p型氮化鎵歐姆接觸與准分子雷射蝕刻王耀國; Yao-Kuo Wang; 王興宗; 陳衛國; Shing-Chung Wang; Wei-Kuo Chen; 光電工程學系
2002氮化鎵相關材料之磊晶成長與特性分析李文雄; Wen-Hsiung Lee; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2003氮化鎵薄膜的結構缺陷及表面能態特性研究鍾浩銘; Hao-Ming Chung; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2003氮化鎵薄膜表面能態密度分佈之研究高銘遜; Ming-Hsun Kao; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2000氮銦化鎵/氮化鎵量子井及量子點結構製備及光電物理性質研究陳衛國; WEI-KUOCHEN; 國立交通大學電子物理學系
2011流量調制磊晶技術成長氮化銦的形貌與光性研究陳膺中; Chen, Ying-Chung; 陳衛國; Chen, Wei-Kuo; 電子物理系所
2007由有機金屬化學氣相沈積成長不同中斷時間對生成氮化銦奈米粒的影響研究楊子德; Tzu-Te Yang; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2006由有機金屬化學氣相沈積成長不同長晶溫度之氮化銦奈米點的光學與形貌特性研究戴士凱; Shi-Kai Tai; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1998矽摻雜氮化鎵薄膜之特性研究盧建志; Chien-Chih Lu; 陳衛國; Prof. Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
1991砷化鎵/矽異質薄膜磊晶成長林鉅山; LIN, JU-SHAN; 陳衛國; CHEN, WEI-GUO; 電子物理系所
1996砷銻化鋁化合物的成長及其異質結構和遠紅外線帶通濾波器的研究張國清; Chang, Kuo-Ching; 陳衛國; Wei-Kuo Chen; 電子物理系所
2000砷離子佈植氮化鎵薄膜之深植能階研究李文祺; Wen-chi, Lee; 陳衛國; Wei-Kuo, Chen; 電子物理系所
2001砷離子佈植氮化鎵薄膜之深植能階研究李文祺; Wen-chi, Lee; 陳衛國; Wei-Kuo, Chen; 電子物理系所