1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 作者 詹詠翔

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆
公開日期標題作者
2017以二氧化鋯作為閘極介電層之鍺金屬-氧化層-半導體電容器與N型金屬-氧化層-半導體電晶體之閘極工程研究詹詠翔; 崔秉鉞; Chan, Yung-Hsiang; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆