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1-五月-2001Characterization of ultrathin oxynitride (18-21 angstrom) gate dielectrics by NH3 nitridation and N2O RTA treatmentPan, TM; Lei, TF; Wen, HC; Chao, TS; 電子工程學系及電子研究所; 奈米中心; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics; Nano Facility Center
1-二月-2001High quality interpoly-oxynitride grown by NH3 nitridation and N2O RTA treatmentPan, TM; Lei, TF; Yang, WL; Cheng, CM; Chao, TS; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-2005Reoxidation behavior of high-nitrogen oxynitride films after O-2 and N2O treatmentLin, BC; Chang, KM; Lai, CH; Hsieh, KY; Yao, JM; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2006Robust ultrathin oxynitride with high nitrogen diffusion barrier near its surface formed by NH3 nitridation of chemical oxide and reoxidation with O-2Lai, CH; Lin, BC; Chang, KM; Hsieh, KY; Lai, YL; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2000以化學性氧化層加化學氣相沈積氮化處理所成長之極薄閘極氮氧化層特性之研究陳明鉉; Ming Huan Chen; 張國明; Kow Ming Chang; 電子研究所
2003以感應耦合式電漿系統成長之超薄氮氧化矽薄膜的電特性與可靠度研究陳柏寧; Bo-Ning Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
1995以電子迴旋共振化學氣相沈積技術成長矽氧膜和矽氧氮膜之研究黃復興; Hwang, fu-shin; 張國明; Dr. Kow-Ming Chang; 電子研究所
2006新穎的SONOS儲存單元製程之研究黃一桀; Yi-Chieh Huang; 羅正忠; Jen-Chung Lou; 電機學院微電子奈米科技產業專班
1999氧氣及氮氣電漿處理後之薄氧化層成長研究周文彬; Wen-Pin Chou; 羅正忠; Dr. Jen-Chung Lou; 電子研究所
2002超薄先進閘極介電層之成長與特性研究：氮氧化矽與氧化鋯及其矽酸鹽陳宏瑋; Hung-Wei Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2006高含氮量的極薄含氮氧化層的再氧化行為以及高氮靠近含氮氧化層表面之介電層技術開發賴瓊惠; Chiung-Hui Lai; 張國明; 林柏村; Kow-Ming Chang; Bo-Chun Lin; 電子研究所
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