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2016以多層 TiNi 合金作為砷化銦鎵NMOS金屬閘極材料陳德皇; 張 翼; Tran, Duc Hoang; Chang, Edward Yi; 材料科學與工程學系所
2016以金屬有機化學氣相沉積方式成長氮化鋁緩衝層應用於氮化鋁(銦)鎵/氮化鎵高電子遷率電晶體黃偉進; 張 翼; Huang, Wei-Ching; 材料科學與工程學系所
21-六月-2018半導体装置及びその製造方法張 翼; 劉 世謙; ▲黄▼ 崇▲カイ▼; ▲呉▼ 佳勳; 韓 秉承; 林 岳欽; 謝 廷恩
2007半導體微影覆蓋誤差的控制策略吳國裕; Kuo-Yu Wu; 張 翼; Edward Yi Chang; 工學院半導體材料與製程設備學程
2004在矽基板上製造鍺p-i-n以及砷化鎵金屬-半導體-金屬光偵測器江哲維; Zhe-Wei Jiang; 張 翼; Prof. Edward Yi Chang; 材料科學與工程學系
1998應用於低電壓操作的假晶高電子遷移率電晶體之GaAs/ Al0.2Ga0.8As選擇性閘極蝕刻製程鍾炤正; Chao-Cheng Chung; 張 翼; 郭正次; Edward Y. Chang; C.T. Kuo; 材料科學與工程學系
21-四月-2011高電子移動度トランジスタの構造、その構造を含んだデバイス及びその製造方法張 翼; ▲呉▼ 雲驥; 林 岳欽
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