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2000Ge/Si(100):Cl表面上Si、Ge原子交換的觀測潘祥元; shiang-yuan Pan; 林登松; Deng-Sung Lin; 物理研究所
1999H/Ge/Si(100)表面上的熱反應王愍之; Ming-Jzi Wang; 林登松; Deng-Sung Lin; 物理研究所
2003H：Si(100)-3x1 to 2x1 表面結構相變化的觀察林昌廷; Chang-Ting Lin; 林登松; Deng-Sung Lin; 物理研究所
2000Si(100)-c(4×4)表面台階附近原子排列的研究許惠雯; Huei-wen Hsu; 林登松; Deng-Sung Lin; 物理研究所
2010二維離子薄膜之結構相變與電子特性李宏道; Li, Hong-Dao; 江進福; 林登松; Jiang, Tsin-Fu; Lin, Deng-Sung; 物理研究所
2000以創新的方法研究矽鍺晶面上氫分子脫附的物理(I)林登松; DENG-SUNGLIN; 國立交通大學物理研究所
2001以創新的方法研究矽鍺晶面上氫分子脫附的物理(II)林登松; DENG-SUNGLIN; 交通大學物理研究所
2002以創新的方法研究矽鍺晶面上氫分子脫附的物理(III)林登松; DENG-SUNGLIN; 交通大學物理研究所
2005以表面電位顯微鏡觀測金屬-氧化層-半導體能帶黃乾庭; 林登松; 物理研究所
1998利用即時掃瞄穿隧電子顯微技術研究磷在矽(100)表面上的成長顧彩璇; Tsai-Hsuan Ku; 林登松; DENG-SUNG LIN; 物理研究所
1998利用掃描穿隧顯微術對Si (100)- 2×1: H表面熱脫附現象的研究陳如萍; RuPingChen; 林登松; Deng Sung Lin; 物理研究所
2001利用掃瞄穿隧顯微鏡觀察Si(100)-2´1:Cl表面上缺陷的移動及反應。吳誌禮; Juhn-Li Wu; 林登松; 物理研究所
2008利用掃瞄穿隧顯微鏡觀測雙原子分子在表面上的反應馮世鑫; Shyh-Shin Ferng; 江進福; 林登松; Tsin-Fu Jiang; Deng-Sung Lin; 物理研究所
2000原子解析度下對三、五族元素在矽晶面上氣相生長過程與電子結構的進一步研究(II)林登松; DENG-SUNGLIN; 交通大學物理研究所
2001含鍺之Si(100)-2x1表面上矽鍺原子的鑑別與分佈周佑霖; Yu-Lin Chou; 林登松; Dr. Deng-Sung Lin; 物理研究所
2007單一原子層離子固體在矽晶面上的成長與奇特排列張展源; Chan-Yuen Chang; 林登松; Deng-Sung Lin; 物理研究所
2008在四族半導體表面上的超薄離子固體自我組裝與其薄膜、介面性質林登松; LIN DENG-SUNG; 國立交通大學物理研究所
2006在四族半導體表面上的超薄離子固體自我組裝與其薄膜、介面性質林登松; LIN DENG-SUNG; 交通大學物理研究所
2007在四族半導體表面上的超薄離子固體自我組裝與其薄膜、介面性質林登松; LIN DENG-SUNG; 國立交通大學物理研究所
1997建立一個交通大學應用同步輻射實驗站與光電子譜對氣相沉積長晶過程中物理現象研究林登松; DENG-SUNGLIN; 交通大學物理研究所
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