瀏覽 的方式: 作者 桂正楣

跳到: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字:  
顯示 1 到 20 筆資料,總共 65 筆  下一頁 >
公開日期標題作者
2003B型抗諧振反射光波導(ARROW-B)結構之光子晶體波導研究黃郁惠; Yu-Hui Huang; 黃遠東; 桂正楣; Dr. Yang-Tung Huang; Dr. Cheng-May Kwei; 電子研究所
2002B型抗諧振反射光波導陣列波導光柵謝昌男; Chang-Nan Hsieh; 黃遠東; 桂正楣; Yang-Tung Huang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2006二氧化鋯感測層在N型及P型pH-離子感測場效電晶體上之研究與比較林佳鴻; Chia-Hung Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2007以Polyimide高分子材料/NafionTM質子交換膜為結構作為pH-ISFET之微小化固態電極之研究何彥忠; Yen-Chung Ho; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2007以Polyimide高分子材料和NafionTM作為REFET感測層之研究林昇宇; Sheng-Yu Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2002以快速升溫氧化技術成長 1.0 nm 高品質氮氧化矽閘極絕緣層及其特性研究陳巨峰; Chu-Feng Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2003以感應耦合式電漿系統成長之超薄氮氧化矽薄膜的電特性與可靠度研究陳柏寧; Bo-Ning Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
1993以蒙地卡羅法探討散射模式對反射電子之影響蘇彬; Pin Su; 桂正楣; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2007以離子植入矽化物技術製作在矽化鎳與矽介面間形成陡峭接面之熱穩定度相關研究林詩帆; Shi-Fan Lin; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2005以電漿表面處理之新穎ReFET製程周庭暐; Ting-Wei Chou; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2008使用金屬閘極的鉿類介電層結構之研究戴振宇; Chen-Yu Tai; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2004具有加厚源/汲極與薄通道之新穎低溫複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究謝孟帆; Mon-Fan Hsieh; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2003具有超薄非晶矽層之高效能雷射退火複晶矽薄膜電晶體之製作與特性研究楊學人; Hsueh-Jen Yang; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2005利用化學機械研磨技術製作新穎多晶矽薄膜電晶體結構及其電性模擬楊國良; 張國明; 桂正楣; 電子研究所
2003利用多層感測層改善酸鹼離子感測器吳鼎文; Ting-Wen Wu; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
2001利用微機電技術設計與製造微波開關元件劉仕文; Si-Wen Liu; 張國明; 桂正楣; Chang, Kow-Ming; Kwei, Cheng-May; 電子研究所
2004利用臨場共製的ReFET與ISFET來改善飄移特性之研究吳冠增; Kuan-Tseng Wu; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
1986區域電漿近似於原子及固體之應用林東亮; LIN, DONG-LIANG; 桂正楣; GUI, ZHENG-MEI; 電子研究所
1995反射電子的角度分布之研究桂正楣; KWEI CHENG-MAY; 國立交通大學電子工程研究所
1996反射電子能量損失分布之研究桂正楣; KWEI CHENG-MAY; 國立交通大學電子工程學系