利用化學機械研磨技術製作新穎多晶矽薄膜電晶體結構及其電性模擬

Abstract

本篇論文中，我們將探討和比較利用化學機械研磨技術所製作的新穎結構，此新穎結構具有加厚的汲/源極和一個薄通道。從模擬的結果來看，因為較厚的源/汲極，在較厚的通道內的側向電場能被降低，所以漏電流可能會降低。而且成功的使漏電流下降了一個數量級。我們提供了一個使用化學機械研磨技術的新穎堆疊結構取代傳統的堆疊式結構，而且此製程能完全的與傳統四道製程相容。