利用化學機械研磨技術製作新穎多晶矽薄膜電晶體結構及其電性模擬

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	楊國良	en_US
dc.contributor.author	張國明	en_US
dc.contributor.author	桂正楣	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:51:47Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:51:47Z	-
dc.date.issued	2005	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009311578	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/78050	-
dc.description.abstract	本篇論文中，我們將探討和比較利用化學機械研磨技術所製作的新穎結構，此新穎結構具有加厚的汲/源極和一個薄通道。從模擬的結果來看，因為較厚的源/汲極，在較厚的通道內的側向電場能被降低，所以漏電流可能會降低。而且成功的使漏電流下降了一個數量級。我們提供了一個使用化學機械研磨技術的新穎堆疊結構取代傳統的堆疊式結構，而且此製程能完全的與傳統四道製程相容。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	多晶矽薄膜電晶體	zh_TW
dc.subject	堆疊式源/汲極	zh_TW
dc.subject	化學機械研磨技術	zh_TW
dc.subject	漏電流	zh_TW
dc.subject	poly-Si TFT	en_US
dc.subject	staggered S/D	en_US
dc.subject	CMP	en_US
dc.subject	leakage current	en_US
dc.title	利用化學機械研磨技術製作新穎多晶矽薄膜電晶體結構及其電性模擬	zh_TW
dc.title	The Fabrications and Simulations of a Novel Poly-Si TFT structure Using CMP Technology	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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