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公開日期 | 標題 | 作者 |
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1991 | 側壁間隔技術應用於場效應控制電子遷移元件之研究 | 李明才; LI, MING-CAI; 蘇翔; 蔡中; SU, XIANG; CAI, ZHONG; 電子研究所 |
十二月-1976 | 場效應電晶體負電阻理論之商榷 | 莊晴光; 蔡中; Ching-Kuang Tzuan; Chun Tsai |
1980 | 多實極根且等漣波的有理函數法之濾波器設計 | 張維睿; Zhang, Wei-Rui; 蔡中; CAI,ZHONG; 電子研究所 |
1993 | 太陽光電能通訊系統應用研究 | 蔡中; 交通大學 |
1998 | 射頻金氧半場效電晶體 | 黃彥皓; Yan-Hua Huang; 蔡中; 荊鳳德; Dr. C. Tsai; Dr. Albert Chin; 電子研究所 |
1999 | 極平整之超薄氧化層 | 蔡中; 交通大學電子工程系 |
1999 | 氮化矽閘極薄氧化層之研究 | 廖益成; Y. C. Liao; 荊鳳德; 蔡中; Albert Chin; C. Tsai; 電子研究所 |
1989 | 獨立式光電伏系統之最佳儲電容量模擬 | 周財欣; ZHOU,CAI-XIN; 蔡中; CAI,ZHONG; 電子研究所 |
1998 | 由矽磊晶到極平整之超薄氧化層製作 | 林柏村; B. C. Lin; 蔡中; 荊鳳德; 陳文照; C. Tsai; Albert Chin; W. J. Chen; 電子研究所 |
1999 | 砷化銦/砷化鋁銦應力補償之高速電晶體 | 蔡中; 交通大學電子工程系 |
1-十月-1999 | 蔡中教授榮退感言 | 蔡中 |
四月-1980 | 論計算機輔助電路分析中選樹的方法 | 蔡中; C.Tsai |
2000 | 銅污染對閘極絕緣層的效應及影響 | 林憶霞; Yih-Hsia Lin; 荊鳳德; 蔡中; Albert Chin; Chun Tsai; 電子研究所 |