瀏覽 的方式: 作者 陳俊丞
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公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2017 | 28奈米近臨界電壓使用12顆電晶體搭配短反或閘型匹配線之管線化的三態內容可定址記憶體 | 陳俊丞; 莊景德; 黃威; Chen, Jyun-Cheng; Chuang, Ching-Te; Hwang, Wei; 電子研究所 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
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2017 | 28奈米近臨界電壓使用12顆電晶體搭配短反或閘型匹配線之管線化的三態內容可定址記憶體 | 陳俊丞; 莊景德; 黃威; Chen, Jyun-Cheng; Chuang, Ching-Te; Hwang, Wei; 電子研究所 |