瀏覽 的方式: 作者 陳俊任
顯示 1 到 2 筆資料,總共 2 筆
公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2017 | 擁有低溫快速退火條件的HfAlO鐵電記憶體 | 陳俊任; 荊鳳德; Chen, Jyun-Ren; Chin, Feng-Der; 電子研究所 |
2009 | 氧化鉺薄膜於電阻式記憶體的製作與轉態特性之研究 | 陳俊任; Chen, Jiun-Ren; 施敏; 張鼎張; Sze, S. M.; Chang, Ting-Chang; 電子研究所 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2017 | 擁有低溫快速退火條件的HfAlO鐵電記憶體 | 陳俊任; 荊鳳德; Chen, Jyun-Ren; Chin, Feng-Der; 電子研究所 |
2009 | 氧化鉺薄膜於電阻式記憶體的製作與轉態特性之研究 | 陳俊任; Chen, Jiun-Ren; 施敏; 張鼎張; Sze, S. M.; Chang, Ting-Chang; 電子研究所 |