瀏覽 的方式: 作者 Albert.Chin
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公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
1995 | LPCVD以SiH4低溫下成長高品質矽磊晶 | 林柏村; Lin, B.C.; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子研究所 |
2013 | 應用二氧化矽介面層改善二氧化鈦電阻式記憶體的功率開關特性 | 傅國洋; Fu, Kuo-Yang; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子工程學系 電子研究所 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
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1995 | LPCVD以SiH4低溫下成長高品質矽磊晶 | 林柏村; Lin, B.C.; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子研究所 |
2013 | 應用二氧化矽介面層改善二氧化鈦電阻式記憶體的功率開關特性 | 傅國洋; Fu, Kuo-Yang; 荊鳳德; Albert.Chin; 電子工程學系 電子研究所 |