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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Biswas, Dhrubes
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顯示 1 到 6 筆資料,總共 6 筆
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作者
2009
A 40-nm-Gate InAs/In(0.7)Ga(0.3)As Composite-Channel HEMT with 2200 mS/mm and 500-GHz f(T)
Kuo, Chien-I
;
Hsu, Heng-Tung
;
Wu, Chien-Ying
;
Chang, Edward Yi
;
Miyamoto, Yasuyuki
;
Chen, Yu-Lin
;
Biswas, Dhrubes
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-四月-2014
Comparative DC Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Si(111) and Sapphire Substrates by MBE
Mukhopadhyay, Partha
;
Bag, Ankush
;
Gomes, Umesh
;
Banerjee, Utsav
;
Ghosh, Saptarsi
;
Kabi, Sanjib
;
Chang, Edward Y. I.
;
Dabiran, Amir
;
Chow, Peter
;
Biswas, Dhrubes
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
一月-2016
Effective surface treatment for GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors using HF plus N-2 plasma prior to SiN passivation
Liu, Shih-Chien
;
Trinh, Hai-Dang
;
Dai, Gu-Ming
;
Huang, Chung-Kai
;
Dee, Chang-Fu
;
Majlis, Burhanuddin Yeop
;
Biswas, Dhrubes
;
Chang, Edward Yi
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-2016
Effective surface treatment for GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors using HF plus N-2 plasma prior to SiN passivation
Liu, Shih-Chien
;
Trinh, Hai-Dang
;
Dai, Gu-Ming
;
Huang, Chung-Kai
;
Dee, Chang-Fu
;
Majlis, Burhanuddin Yeop
;
Biswas, Dhrubes
;
Chang, Edward Yi
;
材料科學與工程學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
18-八月-2014
Effects of threading dislocations on drain current dispersion and slow transients in unpassivated AlGaN/GaN/Si heterostructure field-effect transistors
Ghosh, Saptarsi
;
Dinara, Syed Mukulika
;
Mukhopadhyay, Partha
;
Jana, Sanjay K.
;
Bag, Ankush
;
Chakraborty, Apurba
;
Chang, Edward Yi
;
Kabi, Sanjib
;
Biswas, Dhrubes
;
交大名義發表
;
材料科學與工程學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Materials Science and Engineering
15-九月-2006
Self-assembled In0.22Ga0.78As quantum dots grown on metamorphic GaAs/Ge/SixGe1-x/Si substrate
Hsieh, Y. C.
;
Chang, E. Y.
;
Luo, G. L.
;
Chen, S. H.
;
Biswas, Dhrubes
;
Wang, S. Y.
;
Chang, C. Y.
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering