Skip navigation
瀏覽
學術出版
教師專書
期刊論文
會議論文
研究計畫
畢業論文
專利資料
技術報告
數位教材
開放式課程
專題作品
喀報
交大建築展
明竹
活動紀錄
圖書館週
研究攻略營
畢業典禮
開學典禮
數位典藏
楊英風數位美術館
詩人管管數位典藏
歷史新聞
交大 e-News
交大友聲雜誌
陽明交大電子報
陽明交大英文電子報
陽明電子報
校內出版品
交大出版社
交大法學評論
管理與系統
新客家人群像
全球客家研究
犢:傳播與科技
資訊社會研究
交大資訊人
交大管理學報
數理人文
交大學刊
交通大學學報
交大青年
交大體育學刊
陽明神農坡彙訊
校務大數據研究中心電子報
人間思想
文化研究
萌牙會訊
Inter-Asia Cultural Studies
醫學院年報
醫學院季刊
陽明交大藥學系刊
永續發展成果年報
Open House
畢業紀念冊
畢業紀念冊
項目
公開日期
作者
標題
關鍵字
研究人員
English
繁體
简体
目前位置:
國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Chen, J. F.
跳到:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
或是輸入前幾個字:
排序方式:
標題
公開日期
上傳日期
排序方式:
升冪排序
降冪排序
結果/頁面
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
作者/紀錄:
全部
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
顯示 1 到 20 筆資料,總共 25 筆
下一頁 >
公開日期
標題
作者
2006
Admittance spectroscopy of the electric properties of 1,4-bis[N-(1-naphthyl)-N '-phenylamino]-4,4 ' diamine doped with tungsten oxide
Hsieh, M. T.
;
Chang, C. C.
;
Hu, C. A.
;
Huang, Y. T.
;
Yang, S. L.
;
Chen, J. F.
;
Hwang, S. W.
;
Chen, C. H.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-2007
Analysis of strain relaxation in GaAs/InGaAs/GaAs structures by spectroscopy of relaxation-induced states
Chen, J. F.
;
Chiang, C. H.
;
Hsieh, P. C.
;
Wang, J. S.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
30-八月-2010
Bimodel onset strain relaxation in InAs quantum dots with an InGaAs capping layer
Chen, J. F.
;
Chen, Ross C. C.
;
Chiang, C. H.
;
Chen, Y. F.
;
Wu, Y. H.
;
Chang, L.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
15-九月-2010
Compensation effect and differential capacitance analysis of electronic energy band structure in relaxed InAs quantum dots
Chen, J. F.
;
Chen, Ross C. C.
;
Chiang, C. H.
;
Hsieh, M. C.
;
Chang, Y. C.
;
Chen, Y. F.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-六月-2007
Deep-level emissions in GaAsN/GaAs structures grown by metal organic chemical vapor deposition
Chen, J. F.
;
Ke, C. T.
;
Hsieh, P. C.
;
Chiang, C. H.
;
Lee, W. I.
;
Lee, S. C.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
2007
Demonstration of slow light via population oscillation in quantum dot VCSEL
Xuan, R.
;
Chi, J. Y.
;
Peng, P. C.
;
Yang, H. P.
;
Chao, C. L.
;
Chen, J. F.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-七月-2008
Effect of antimony incorporation on the density, shape, and luminescence of InAs quantum dots
Chen, J. F.
;
Chiang, C. H.
;
Wu, Y. H.
;
Chang, L.
;
Chi, J. Y.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
15-八月-2007
Electron emission properties of relaxation-induced traps in InAs/GaAs quantum dots and the effect of electronic band structure
Chen, J. F.
;
Wang, J. S.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
10-十二月-2008
Electron emissions in InAs quantum dots containing a nitrogen incorporation induced defect state: the influence of thermal annealing
Chen, J. F.
;
Yu, C. C.
;
Yang, C. H.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
13-六月-2007
Evidence for the electron trap state associated with N-rich clusters in InGaAsN/GaAs quantum wells
Chen, J. F.
;
Hsieh, P. C.
;
Hsiao, R. S.
;
Wang, J. S.
;
Chi, J. Y.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
14-一月-2013
Exploration of water jet generated by Q-switched laser induced water breakdown with different depths beneath a flat free surface
Chen, Ross C. C.
;
Yu, Y. T.
;
Su, K. W.
;
Chen, J. F.
;
Chen, Y. F.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-一月-2012
How do InAs quantum dots relax when the InAs growth thickness exceeds the dislocation-induced critical thickness?
Chen, J. F.
;
Lin, Y. C.
;
Chiang, C. H.
;
Chen, Ross C. C.
;
Chen, Y. F.
;
Wu, Y. H.
;
Chang, L.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
15-八月-2011
Improving the photoluminescence properties of self-assembled InAs surface quantum dots by incorporation of antimony
Chiang, C. H.
;
Wu, Y. H.
;
Hsieh, M. C.
;
Yang, C. H.
;
Wang, J. F.
;
Chen, Ross C. C.
;
Chang, L.
;
Chen, J. F.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
15-三月-2009
Influence of thermal annealing on the electron emission of InAs quantum dots containing a misfit defect state
Chen, J. F.
;
Yang, C. H.
;
Hsu, R. M.
;
Wang, U. S.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-一月-2011
Nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire using multilayer AlN buffer by metalorganic chemical vapor deposition
Chiang, C. H.
;
Chen, K. M.
;
Wu, Y. H.
;
Yeh, Y. S.
;
Lee, W. I.
;
Chen, J. F.
;
Lin, K. L.
;
Hsiao, Y. L.
;
Huang, W. C.
;
Chang, E. Y.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
14-十二月-2006
The photoluminescence decay time of self-assembled InAs quantum dots covered by InGaAs layers
Shu, G. W.
;
Wang, C. K.
;
Wang, J. S.
;
Shen, J. L.
;
Hsiao, R. S.
;
Chou, W. C.
;
Chen, J. F.
;
Lin, T. Y.
;
Ko, C. H.
;
Lai, C. M.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-一月-2010
Photoluminescence studies of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers
Shu, G. W.
;
Wang, J. S.
;
Shen, J. L.
;
Hsiao, R. S.
;
Chen, J. F.
;
Lin, T. Y.
;
Wu, C. H.
;
Huang, Y. H.
;
Yang, T. N.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
5-九月-2007
Relaxation-induced lattice misfits and their effects on the emission properties of InAs quantum dots
Chen, J. F.
;
Wang, Y. Z.
;
Chiang, C. H.
;
Hsiao, R. S.
;
Wu, Y. H.
;
Chang, L.
;
Wang, J. S.
;
Chi, T. W.
;
Chi, J. Y.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
1-十月-2009
Spectral shape and broadening of emission from AlGaInP light-emitting diodes
Chen, N. C.
;
Lien, W. C.
;
Yang, Y. K.
;
Shen, C.
;
Wang, Y. S.
;
Chen, J. F.
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
5-六月-2006
Strain relaxation and induced defects in InAsSb self-assembled quantum dots
Chen, J. F.
;
Hsiao, R. S.
;
Huang, W. D.
;
Wu, Y. H.
;
Chang, L.
;
Wang, J. S.
;
Chi, J. Y.
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics