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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Chen, NC
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顯示 1 到 20 筆資料,總共 26 筆
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標題
作者
1-一月-2000
Admittance spectroscopy and thermal stimulation current for band-offset characteristics in AlAs/GaAs n(+)-p structures
Chen, JF
;
Wang, JS
;
Wang, PY
;
Chen, NC
;
Hsu, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-七月-1996
Analysis of influence of alkyl sources on deep levels in GaN by transient capacitance method
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Huang, WY
;
Lee, WI
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
1-七月-1996
Analysis of influence of alkyl sources on deep levels in GaN by transient capacitance method
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Huang, WY
;
Lee, WI
;
Feng, MS
;
材料科學與工程學系
;
電子物理學系
;
Department of Materials Science and Engineering
;
Department of Electrophysics
17-四月-2000
Annealing dynamics of nitrogen-implanted GaAs films investigated by current-voltage and deep-level transient spectroscopy
Chen, JF
;
Wang, JS
;
Huang, MM
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十二月-1999
Capacitance dispersion in n-LT-i-p GaAs structures with the low-temperature layers grown at different temperatures
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Weng, CM
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-2000
Carrier depletion by defects levels in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum-well Schottky diodes
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Wang, JS
;
Tsai, CY
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
23-九月-1996
Characterizations of deep levels in SnTe-doped GaSb by admittance spectroscopy
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Liu, HS
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
23-九月-1996
Characterizations of deep levels in SnTe-doped GaSb by admittance spectroscopy
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Liu, HS
;
交大名義發表
;
電子物理學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electrophysics
1-七月-1996
Deep levels in SnTe-doped GaSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Liu, HS
;
交大名義發表
;
電子物理學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electrophysics
1-十一月-1996
Deep levels, electrical and optical characteristics in SnTe-doped GaSb Schottky diodes
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Liu, HS
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-十一月-1996
Deep levels, electrical and optical characteristics in SnTe-doped GaSb Schottky diodes
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Liu, HS
;
交大名義發表
;
電子物理學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electrophysics
1-二月-2001
Differential capacitance measurements of relaxation-induced defects in InGaAs/GaAs Schottky diodes
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, JS
;
Chen, YF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
15-十月-1998
Effects of high-resistivity, low-temperature layer in transient capacitance measurements of GaAs n-i-p structures
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-二月-1997
Electrical characteristics and deep-level admittance spectroscopies of low-temperature grown GaAs p-i-n structures
Chen, JF
;
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Tsai, MH
;
交大名義發表
;
電子物理學系
;
National Chiao Tung University
;
Department of Electrophysics
1-十月-2001
Long-term photocapacitance decay behavior in undoped GaN
Chung, HM
;
Pan, YC
;
Chuang, WC
;
Chen, NC
;
Tsai, CC
;
Lee, MC
;
Chen, WH
;
Chen, WK
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
2000
Long-term photocapacitance decay behavior in undoped GaN
Chung, HM
;
Pan, YC
;
Chung, WC
;
Chen, NC
;
Tsai, CC
;
Chiang, CI
;
Lin, CH
;
Chang, H
;
Lee, MC
;
Chen, WH
;
Chen, WK
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
2-三月-1998
Low frequency negative capacitance behavior of molecular beam epitaxial GaAs n-low temperature-i-p structure with low temperature layer grown at a low temperature
Chen, NC
;
Wang, PY
;
Chen, JF
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-七月-1998
A novel process to form cobalt silicided p(+) poly-Si gates by BF2+ implantation into bilayered CoSi/a-Si films and subsequent anneal
Lai, WK
;
Liu, HW
;
Juang, MH
;
Chen, NC
;
Cheng, HC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
18-十月-1999
Observation of carrier depletion and emission effects on capacitance dispersion in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells
Chen, JF
;
Wang, PY
;
Tsai, CY
;
Wang, JS
;
Chen, NC
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
1-九月-1998
Passivation of Cu by sputter-deposited Ta and reactively sputter-deposited Ta-nitride layers
Chuang, JC
;
Chen, NC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics