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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Lin, CJ
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標題
作者
2005
Analysis of silicon nanocrystals in silicon-rich SiO2 synthesized by CO2 laser annealing - art. no. 602020
Lin, CJ
;
Lin, GR
;
Chueh, YL
;
Chou, LJ
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1-十一月-1997
An ART-based fuzzy adaptive learning control network
Lin, CJ
;
Lin, CT
;
電控工程研究所
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-十一月-1997
An ART-based fuzzy adaptive learning control network
Lin, CJ
;
Lin, CT
;
交大名義發表
;
電控工程研究所
;
National Chiao Tung University
;
Institute of Electrical and Control Engineering
2003
The blue-green luminescence and current-voltage characteristics of MOS diode made on thermally annealed Si+ implanted SiO2 substrate
Lin, GR
;
Lin, CJ
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1995
Characterization and optimization of NO-nitrided gate oxide by RTP
Sun, SC
;
Chen, CH
;
Yen, DLW
;
Lin, CJ
;
奈米中心
;
Nano Facility Center
2005
CO2 laser annealing synthesis of silicon nanocrystals buried in Si-rich SiO2
Lin, CJ
;
Chueh, YL
;
Chou, LJ
;
Kuo, HC
;
Lin, GR
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
2004
Correlation between surface charge accumulation and excitation intensity dependent red-shifted micro-photoluminescence of Si-implanted quartz with embedded Si nanocrystals
Lin, CJ
;
Yu, KC
;
Kuo, HC
;
Ou-Yang, MJ
;
Lin, GR
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
9-八月-2004
Defect-enhanced photoconductive response of silicon-implanted borosilicate glass
Lin, GR
;
Lin, CJ
;
Lin, CK
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
11-十月-2004
Defect-enhanced photoconductive response of silicon-implanted borosilicate glass (vol 85, pg 935, 2004)
Lin, GR
;
Lin, CJ
;
Lin, CK
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1-三月-2005
Defect-enhanced visible electroluminescence of multi-energv silicon-implanted silicon dioxide film
Lin, CJ
;
Lin, GR
;
物理研究所
;
光電工程學系
;
Institute of Physics
;
Department of Photonics
1-五月-2002
Effect of electron-phonon scattering mechanisms on free-carrier absorption in quasi-one-dimensional structures
Wu, CC
;
Lin, CJ
;
應用數學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Applied Mathematics
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1998
Effect of nonparabolic bands on impurity-limited mobility of semiconducting thin wires in n-type germanium
Wu, CC
;
Lin, CJ
;
應用數學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Applied Mathematics
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-三月-1999
Effect of nonparabolicity on free-carrier absorption in n-type InSb films for polar optical phonon scattering
Wu, CC
;
Lin, CJ
;
應用數學系
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Applied Mathematics
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-四月-1996
Effect of phonon scattering on free-carrier absorption in quantum well structures
Wu, CC
;
Lin, CJ
;
應用數學系
;
電控工程研究所
;
Department of Applied Mathematics
;
Institute of Electrical and Control Engineering
1-二月-2004
Effects of gamma radiation on optical fibre sensors
Lin, KC
;
Lin, CJ
;
Lee, WY
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
2005
Effects of N2O fluence on the PECVD-grown Si-rich SiOx with buried Si nanocrystals
Lin, CJ
;
Kuo, HC
;
Chen, CY
;
Chueh, YL
;
Chou, LJ
;
Chang, CW
;
Diau, EWG
;
Lin, GR
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
6-十月-2005
Enhanced resonant Raman scattering and electron-phonon coupling from self-assembled secondary ZnO nanoparticles
Cheng, HM
;
Lin, KF
;
Hsu, HC
;
Lin, CJ
;
Lin, LJ
;
Hsieh, WF
;
光電工程學系
;
Department of Photonics
1-三月-2003
Fine-grained protein fold assignment by support vector machines using generalized npeptide coding schemes and jury voting from multiple-parameter sets
Yu, CS
;
Wang, JY
;
Yang, JM
;
Lyu, PC
;
Lin, CJ
;
Hwang, JK
;
生物科技學系
;
Department of Biological Science and Technology
1-一月-2003
Formation of NiSi-silicided p(+)n shallow junctions using implant through silicide and low temperature furnace annealing
Wang, CC
;
Lin, CJ
;
Chen, MC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2003
Formation of NiSi-silicided p(+)n shallow junctions using implant-through-silicide and low-temperature furnace annealing
Wang, CC
;
Lin, CJ
;
Chen, MC
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics