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瀏覽 的方式： 作者 Lin, Kuo-Fang

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公開日期標題作者
2010以Drive-in 製程的修正來改善 0.4μm P型金屬/氧化層/半導體(PMOS)臨界電壓電性的異常林國芳; Lin, Kuo-Fang; 吳耀銓; Wu, Yew-Chung; 工學院半導體材料與製程設備學程
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