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公開日期標題作者
1989DX中心對高電子移動率電晶體暫態行為影響之數值分析余楚樵; YU,CHU-QIAO; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989Dx陷阱中心對高電子移動率電晶體元件與電路之暫態效應與可靠性研究吳昇治; WU,SHENG,ZHI; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989GaAs/AlGaAs量子井電子傳輸的幾何效應陳益德; CHEN,YI-DE; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989以砷化鎵為基底的量子井元件中熱電子傳導特性之研究謝正祥; XIE,ZHENG-XIANG; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989分子束磊晶成長之砷化鎵金半場效電晶體低溫緩衝層及頻率相關電流超射效應之研究蔡富義; CAI,FU-YI; 李建平; 汪大暉; LI,JIAN-PING; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989多重量子井場效電晶體之物理及傳輸特性研究曾建賢; ZENG,JIAN-XIAN; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989矽質金氧半電晶體熱電子效應之研究王冠堯; WANG,GUAN-YAO; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989砷化鎵金半場效電晶體熱電子模型二維數值模擬與分析潘志新; PAN,ZHI-XIN; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
1989高速元件和電路中雜散效應的數值分析洪俊雄; HONG,JUN-XIONG; 汪大暉; WANG,DA-HUI; 電子研究所
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