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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Wang, HCH
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顯示 1 到 8 筆資料,總共 8 筆
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標題
作者
1-一月-2002
Arsenic/phosphorus LDD optimization by taking advantage of phosphorus transient enhanced diffusion for high voltage input/output CMOS devices
Wang, HCH
;
Wang, CC
;
Diaz, CH
;
Liew, BK
;
Sun, JYC
;
Wang, TH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2005
Continuous and precise work function adjustment for integratable dual metal gate CMOS technology using Hf-Mo binary alloys
Li, TL
;
Hu, CH
;
Ho, WL
;
Wang, HCH
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2000
Hot carrier reliability improvement by utilizing phosphorus transient enhanced diffusion for input/output devices of deep submicron CMOS technology
Wang, HCH
;
Diaz, CH
;
Liew, BK
;
Sun, JYC
;
Wang, TH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-二月-2001
Interface induced uphill diffusion of boron: An effective approach for ultrashallow junction
Wang, HCH
;
Wang, CC
;
Chang, CS
;
Wang, TH
;
Griffin, PB
;
Diaz, CH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2006
Novel dual-metal gate technology using Mo-MoSix combination
Li, TL
;
Ho, WL
;
Chen, HB
;
Wang, HCH
;
Chang, CY
;
Hu, CM
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-2006
A novel transient characterization technique to investigate trap properties in HfSiON gate dielectric MOSFETs - From single electron emission to PBTI recovery transient
Wang, TH
;
Chan, CT
;
Tang, CJ
;
Tsai, CW
;
Wang, HCH
;
Chi, MH
;
Tang, DD
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2005
Positive bias and temperature stress induced two-stage drain current degradation in HfSiON nMOSFET's
Chan, CT
;
Tang, CJ
;
Wang, T
;
Wang, HCH
;
Tang, DD
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2005
Single-electron emission of traps in HfSiON as high-k gate dielectric for MOSFETs
Chan, CT
;
Tang, CJ
;
Kuo, CH
;
Ma, HC
;
Tsai, CW
;
Wang, HCH
;
Chi, MH
;
Wang, T
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics