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公開日期標題作者
1989LDD NMOSFET對熱載子效應可靠性之最佳化劉慈祥; LIU,CI-XIANG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989MOS之LDD在閘極覆蓋下的特性研究蔡曜州; CAI,YAO-ZHOU; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989P型複晶矽閘極在P型金氧半場效電晶體特性之研究郭明宏; GUO,MING-HONG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989P型金氧半場效電晶體熱載子效應之研究謝文哲; XIE,WEN-ZHE; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989SONOS可程式可抹除唯讀記憶元件之電氣特性沈信隆; SHEN,XIN-LONG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989以分子束磊晶成長鍺矽晶膜之特性分析劉傳維; LIU,CHUAN-WEI; 張國明; 張俊彥; ZHANG,GUO-MING; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989以快速升溫化學束磊晶法成長矽鍺磊晶及其特性分析王政堂; WANG,ZHENG-TANG; 張俊彥; 劉增豐; ZHANG,JUN-YAN; LIU,ZENG-FENG; 材料科學與工程學系
1989以有機金屬化學氣相沈積法成長磷化鎵銦/ 砷化鎵高電子遷移率電晶體之研究商育嘉; SHANG,YU-JIA; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989以有機金屬汽相沈積法成長磷化銦鎵磊晶膜及其特性分析吳昌成; WU,CHANG-CHENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989以有機金屬汽相磊晶成長磷化銦鎵與砷化鎵異質接面林昆泉; LIN,KUN-QUAN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989以液相磊晶法在磷化銦基板上成長砷化銦鎵p-i-n 感光二極體何文章; HE,WEN-HANG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989可抹除可規劃 讀記憶體特性的研究趙文賢; ZHAO,WEN-XIAN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989對金屬和非晶矽接觸及非晶矽內狀態密度的探討陳德聖; CHEN,DE-SHENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989次微米選擇性無電鍍鉑在矽化鈦上之研究吳明昇; WU,MING-SHENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989汲極微電量摻雜金氧半場效電晶體在直流下的劣化機構及其最佳化趨勢鐘子圭; ZHONG,ZI-GUI; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989矽和矽鍺的低溫磊晶謝福裕; XIE,FU-YU; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989磷化銦鎵與砷化鎵超晶格之能帶計算麥威舜; MAI,WEI-SHUN; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989運用實驗計劃法及統計分析求P型金氧半特性之最佳化呂明峰; LU,MING-FENG; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
1989選擇性無電鍍鉑及其應用葉晉斌; YE,JIN-BIN; 張俊彥; 黃凱風; ZHANG,JUN-YAN; HUANG,KAI-FENG; 電子物理系所
1989雙層複晶矽間介電質之研究梁凱傑; LIANG,KAI-JIE; 張俊彥; ZHANG,JUN-YAN; 電子研究所
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