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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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2012 - 20198

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Access type: Open accessAuthor: search.filters.author.侯拓宏

Search Results

Now showing 1 - 8 of 8
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    Item type:Item,
    神經網路處理系統
    (2019-01-01)
    侯拓宏
    ;
    張志丞
    ;
    劉仁傑
    本發明提供一種神經網路處理系統，包括至少一突觸，突觸係接收一輸入信號，突觸具有一外部權重值及一內部權重值，內部權重值會經由外部刺激而產生變化，當內部權重值之變化累積至一臨界值時，會同時改變外部權重值，使得輸入信號乘上突觸的外部權重值會產生一權重訊號，一神經元電路係連接突觸，以接收突觸所傳輸的權重訊號，並可計算這些權重訊號以輸出。本發明可以同時加速深度學習中的預測及學習功能，並可實現高精確度且具即時學習能力的硬體神經網路。
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    Item type:Item,
    二維材料的製作方法
    (2018-10-16)
    侯拓宏
    ;
    黃俊宏
    本發明二維材料的製作方法包含以下步驟：於基板上形成具有至少一二維材料元素之薄膜；於薄膜上形成至少一包覆層；於包覆層形成後將薄膜進行退火，以形成二維材料膜。
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    Item type:Item,
    半導體裝置的製造方法
    (2018-07-01)
    侯拓宏
    ;
    潘正聖
    ;
    劉邦軒
    一種包含場效電晶體裝置的半導體裝置，包含基板與在基板上的二維材料所製成的通道結構。多個源極與汲極接觸部分地形成於二維材料上。第一介電層至少部分地形成在通道結構上且至少部分地形成在源極與汲極接觸上。第一介電層用以捕獲多個電荷載子。第二介電層形成於第一介電層上，且閘極電極形成於第二介電層上。
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    Item type:Item,
    三維反或型快閃記憶體及其製造方法
    (2016-07-01)
    侯拓宏
    一種三維反或型快閃記憶體包含多個導電層、多個介電層、多個通道層、多個穿隧隔離層、多個電荷捕捉層、多個電荷阻擋層以及多個閘極電極。多個導電層以及多個介電層交錯配置，以使多個導電層彼此電性隔離。通道層、穿隧隔離層、電荷捕捉層、電荷阻擋層以及閘極電極依序設置於多個導電層以及多個介電層之一側表面，其中，二個相鄰導電層分別作為一電晶體之一源極以及一汲極，並與對應之閘極電極定義一記憶體單元。依據此結構，多個記憶體單元能夠以三維架構配置以提升單位晶片面積之位元密度，且每一記憶體單元能夠定址且存取。
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    Item type:Item,
    多位元電阻切換記憶體元件與陣列
    (2014-09-01)
    侯拓宏
    ;
    吳仕傑
    本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑，導通路徑彼此獨立，且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態，而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列，可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。
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    Item type:Item,
    二極體元件及其製作方法
    (2014-01-01)
    侯拓宏
    ;
    黃俊嘉
    本發明揭示一種二極體元件，其包括：一二極體薄膜，其具有一第一表面及一第二表面，且包括：一第一導電區域，提供電流密度均勻的電流傳導，且該第一導電區域的成份包含一第一氧化物；及一第二導電區域，其包含複數個電流通道，提供電流密度不均勻的電流傳導，且該電流通道的成份包含一第二氧化物；其中，該第一氧化物不同於該第二氧化物；當一電流傳導於該第一表面與該第二表面之間時，該第二導電區域所流過的直流電流密度大於該第一導電區域的10倍以上；一第一電極，其係形成於該第一表面上；及一第二電極，其係形成於該第二表面上。
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    Item type:Item,
    二極體元件及其製作方法
    (2012-06-01)
    侯拓宏
    ;
    黃俊嘉
    本發明揭示一種二極體元件，其包括：一二極體薄膜，其具有一第一表面及一第二表面，且包括：一第一導電區域，提供電流密度均勻的電流傳導，且該第一導電區域的成份包含一第一氧化物；及一第二導電區域，其包含複數個電流通道，提供電流密度不均勻的電流傳導，且該電流通道的成份包含一第二氧化物；其中，該第一氧化物不同於該第二氧化物；當一電流傳導於該第一表面與該第二表面之間時，該第二導電區域所流過的直流電流密度大於該第一導電區域的10倍以上；一第一電極，其係形成於該第一表面上；及一第二電極，其係形成於該第二表面上。
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    Item type:Item,
    多位元電阻切換記憶體元件與陣列
    (2013-05-16)
    侯拓宏
    ;
    吳仕傑
    本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑,導通路徑彼此獨立,且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態,而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列,可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。