DSpace

Now showing 1 - 3 of 3

電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
(2008)
張翼
;
CHANG EDWARD YI
;
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體，被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時，應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。
電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
(2009)
張翼
;
CHANG EDWARD YI
;
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體，被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時，應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。
氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析
(2001)
張翼
;
國立交通大學材料科學與工程學系

學術出版;;Publications

Browse

Filters

Settings

Sort By

Results per page

🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Search Results