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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.莊紹勳

Search Results

Now showing 1 - 10 of 49
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    非揮發性記憶體及其操作方法
    (2018-10-16)
    莊紹勳
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    謝易叡
    本記憶體的第一儲存單元包括第一阻變式電晶體以及第一控制電晶體。第一儲存單元可使用第一阻變式電晶體進行儲存，從而做為快閃記憶體(flash memory)來使用。第二阻變式電晶體與第二控制電晶體可組成與第一儲存單元雷同的的第二儲存單元。隔離電晶體連接在第一儲存單元和第二儲存單元之間。然後，多個與上述相同架構的儲存單元可串聯並形成陣列。多個陣列可再形成為一個記憶體電路。隔離電晶體可具有與第一及第二控制電晶體相同的結構，其用以防止記憶體電路中的溜徑電流。
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    Item type:Item,
    半導體裝置結構
    (2017-08-01)
    莊紹勳
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    謝易叡
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    林宜憲
    本揭露提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構，至少位於半導體基底內。半導體裝置結構也包括通道結構，位於半導體基底上。源極結構被通道結構局部地覆蓋。半導體裝置結構還包括汲極結構，覆蓋通道結構。汲極結構及源極結構具有不同的導電類型。通道結構的一部分夾設於源極結構與汲極結構之間。再者，半導體裝置結構包括閘極堆疊，局部地覆蓋通道結構。
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    Item type:Item,
    半導體裝置結構
    (2017-06-16)
    莊紹勳
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    謝易叡
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    趙堉斌
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    潘正聖
    本揭露提供半導體裝置結構與其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構於半導體基板中。半導體裝置結構亦包括通道層於半導體基板上。通道層的第一部份覆蓋部份源極結構。通道層的第二部份橫向地延伸出源極結構。半導體裝置結構更包括汲極結構於半導體基板上。汲極結構與源極結構具有不同的導電型態。汲極結構鄰接通道層的第二部份。
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    Item type:Item,
    介電質熔絲型記憶電路及其操作方法
    (2017-03-16)
    莊紹勳
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    謝易叡
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    黃智宏
    本發明提出一種可一次性寫入並重複隨機讀取的積體電路記憶體，此記憶體係利用介電質熔絲的方式，作為儲存元件的寫入操作，其主要特徵為，施加一電場於介電質使得其內之離子被析出或介電質熔毀，造成介電質結構損壞，呈穿孔狀，經由介電質穿隧的電流將由寫入前的高電導(低電阻)態轉變為低電導(高電阻)態，此機制已整合於超大型積體電路中完成積體電路記憶體之驗證，並利用CMOS製程實現之。
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    Item type:Item,
    非揮發性電阻式記憶體及其操作
    (2016-02-01)
    莊紹勳
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    謝易叡
    本發明揭示一種記憶體單元及關聯陣列電路。記憶體陣列電路包括複數個記憶體單元，其中記憶體單元每一者包含儲存裝置及場效電晶體。儲存裝置包括頂部電極、底部電極及氧化物介電層。頂部電極由金屬或金屬氧化物介電質形成，連接至字元線。底部電極由金屬形成，氧化物介電層置於頂部電極與底部電極之間。場效電晶體包括：閘極端子，經連接至底部電極；源極端子，經連接至接地線；以及汲極端子，經連接至位元線。儲存裝置之電阻值可根據施加於字元線上的第一電壓以及施加於位元線上的第二電壓加以調整。
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    Item type:Item,
    低功耗互補式穿隧場效電晶體的設計與製作 (I)
    (2016)
    莊紹勳
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    Chung Steve S
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計-元件至電路的考量( III )
    (2015)
    莊紹勳
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    Chung Steve S
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    Item type:Item,
    低功耗互補式穿隧場效電晶體的設計與製作 (I)
    (2015)
    莊紹勳
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    Chung Steve S
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    Item type:Item,
    使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法
    (2014-01-11)
    莊紹勳
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    謝易叡
    本發明提出一種使用無源極、汲極接面之場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法，於半導體晶圓(wafer)上，形成無源極和汲極接面之N通道電晶體及無源極和汲極接面之P通道電晶體，在電晶體間以導電之連接結構互相連接，形成基本互補式邏輯閘(如inverter,NAND,NOR等邏輯閘)。
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    Item type:Item,
    使用無源極和汲極接面場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法
    (2012-06-01)
    莊紹勳
    ;
    謝易叡
    本發明提出一種使用無源極、汲極接面之場效電晶體之基本互補式邏輯閘之構造及其製造方法，於半導體晶圓(wafer)上，形成無源極和汲極接面之N通道電晶體及無源極和汲極接面之P通道電晶體，在電晶體間以導電之連接結構互相連接，形成基本互補式邏輯閘(如inverter, NAND, NOR等邏輯閘)。