<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

學術出版;;Publications

Permanent URI for this communityhdl:11536/1

收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

Browse

Filters

1999 - 199912000 - 20085

Settings

🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.Chung Steve SSubject: search.filters.subject.Flash memory

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
    (2008)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極(floating gate) 快閃式記憶體，受限於資料保存(data retention)問 題，穿隧氧化層(tunnel oxide)無法繼續微縮，SONOS 則具有可微縮性(scalability)、可以 有較佳的資料保存、低電壓操作、適合箝入式(embedded)設計等優點。SONOS 結構快 閃式記憶體的研究，在國內研究則相當缺乏，本計劃著眼於此，規劃三年時程的研究計 劃，建立一套完整的SONOS Flash cell 架構，嘗試利用Nitride 介電層及金屬化合物電荷 儲存層(charge storage)結構的SONOS-type 快閃式記憶體，以達到同時可以高速操作及較 佳資料保存(dada retention)特性等優點，建立相關製程模組，並探討其漏電流機制及可 靠性的分析方法。 本計劃預期完成的工作有： 第一年計劃工作的執行，我們將更改傳統 SONOS 中ONO layer 的設計，將ONO layer 改為Nitride 介電層/金屬化合物/Nitride(NMN)結構，以期達到可以高速操作、具高可靠 性、較佳data retention 的SONOS 快閃式記憶體元件設計。主要工作包含：建立high-k nitride 做為tunnel oxide、成長高可靠性低漏電流tunnel oxide 技術、開發metal-storage node 材料，建立相關製程模組，以及各種不同tunnel nitride 結構、storage node 的各項 性能(performance)及可靠性的研究。 第二年主要是延續第一年的元件製作及各種操作模式，完成具體的可靠性評估，包含： Cell Endurance、Data retention 等的可靠性量測，元件在P/E cycling 以後，tunnel oxide 所造成氧化層傷害的可靠性量測方法研究及各項leakage current 模型建立，依第一年完 成的不同的tunnel nitride、blocking nitride 厚度條件sample，研究出scaling 的設計準則。 最後一年則是利用 metal-NC 技術取代前一年的電荷儲存層於SONOS cell 的製作，期能 達到更好的data retention 的目標及操作速度、operation window、可靠性等的評估，建立 一套利用metal-NC 技術於SONOS cell 製程與元件的設計準則。 最後成果預期可以有世界級水準的論文發表，研究成果更可做為產業界下一世代快閃記 憶體的重要參考。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    用於快閃式記憶元件及電路性能與可靠性模擬的元件模式
    (2000)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    交通大學電子工程系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(I)
    (2001)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    交通大學電子工程系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究
    (1999)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    交通大學電子工程系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
    (2006)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    交通大學電子工程系
    傳統的浮動閘極(floating gate) 快閃式記憶體，受限於資料保存(data retention)問 題，穿隧氧化層(tunnel oxide)無法繼續微縮，SONOS 則具有可微縮性(scalability)、可以 有較佳的資料保存、低電壓操作、適合箝入式(embedded)設計等優點。SONOS 結構快 閃式記憶體的研究，在國內研究則相當缺乏，本計劃著眼於此，規劃三年時程的研究計 劃，建立一套完整的SONOS Flash cell 架構，嘗試利用Nitride 介電層及金屬化合物電荷 儲存層(charge storage)結構的SONOS-type 快閃式記憶體，以達到同時可以高速操作及較 佳資料保存(dada retention)特性等優點，建立相關製程模組，並探討其漏電流機制及可 靠性的分析方法。 本計劃預期完成的工作有： 第一年計劃工作的執行，我們將更改傳統 SONOS 中ONO layer 的設計，將ONO layer 改為Nitride 介電層/金屬化合物/Nitride(NMN)結構，以期達到可以高速操作、具高可靠 性、較佳data retention 的SONOS 快閃式記憶體元件設計。主要工作包含：建立high-k nitride 做為tunnel oxide、成長高可靠性低漏電流tunnel oxide 技術、開發metal-storage node 材料，建立相關製程模組，以及各種不同tunnel nitride 結構、storage node 的各項 性能(performance)及可靠性的研究。 第二年主要是延續第一年的元件製作及各種操作模式，完成具體的可靠性評估，包含： Cell Endurance、Data retention 等的可靠性量測，元件在P/E cycling 以後，tunnel oxide 所造成氧化層傷害的可靠性量測方法研究及各項leakage current 模型建立，依第一年完 成的不同的tunnel nitride、blocking nitride 厚度條件sample，研究出scaling 的設計準則。 最後一年則是利用 metal-NC 技術取代前一年的電荷儲存層於SONOS cell 的製作，期能 達到更好的data retention 的目標及操作速度、operation window、可靠性等的評估，建立 一套利用metal-NC 技術於SONOS cell 製程與元件的設計準則。 最後成果預期可以有世界級水準的論文發表，研究成果更可做為產業界下一世代快閃記 憶體的重要參考。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究
    (2007)
    莊紹勳
    ;
    Chung Steve S
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所