標題: 有機與氧化物半導體之垂直載子遷移率及高效能金屬基極電晶體---總計畫及子計畫一:有機半導體之垂直載子遷移率及其餘金屬基極電晶體之應用(III)
Vertical Carrier Mobility of Organic and Oxide Semiconductors and High-Performance Metal-Base Transistor (III)
作者: 孟心飛
MENG HSIN-FEI
國立交通大學物理研究所
關鍵字: 空間電荷限制電晶體;高載子遷移率;空氣穩定;polymer space-charge-limited transistor;high carrier mobility;air stable
公開日期: 2010
官方說明文件#: NSC99-2628-M009-001
URI: http://hdl.handle.net/11536/100260
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2151071&docId=346380
顯示於類別:研究計畫