| 標題: | 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 Statistical Characterization and 3D Atomistic Simulation Based on Electron Hopping and Thermo-Chemical Dielectric Breakdown in RRAM |
| 作者: | 汪大暉 WANG TAHUI 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
| 公開日期: | 2014 |
| 官方說明文件#: | NSC102-2221-E009-096-MY2 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/100602 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8120674&docId=432384 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
- 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 / 汪大暉;WANG TAHUI
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- 電阻式記憶體操作後導致缺陷產生與寫入干擾錯誤時間劣化之研究 / 林汶潔;Lin, Wen-Chieh;汪大暉;Wang, Tahui
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