原子解析度下對三、五族元素在矽晶面上氣相生長過程與電子結構的進一步研究(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林登松	en_US
dc.contributor.author	DENG-SUNGLIN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:46:06Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:46:06Z	-
dc.date.issued	2000	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC89-2112-M009-010	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/100649	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=523659&docId=95104	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	同步輻射應用研究	zh_TW
dc.subject	超高真空	zh_TW
dc.subject	光電子能譜學	zh_TW
dc.subject	表面物理	zh_TW
dc.subject	材料物理	zh_TW
dc.subject	氣相沈積	zh_TW
dc.subject	掃描探針式電子穿隧顯微鏡	zh_TW
dc.subject	Synchrotron radiation research	en_US
dc.subject	Ultra-high vacuum	en_US
dc.subject	Photoelectron spectroscopy	en_US
dc.subject	Surface physics	en_US
dc.subject	Materials physics	en_US
dc.subject	Chemical vapor deposition (CVD)	en_US
dc.subject	Scanning tunneling microscopy (STM)	en_US
dc.title	原子解析度下對三、五族元素在矽晶面上氣相生長過程與電子結構的進一步研究(II)	zh_TW
dc.title	Atomic-Level Investigation of Boron and Phosphorus Chemical Vapor Deposition on Silicon Surfaces (II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學物理研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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