標題: 氮化鎵族光電材料與元件開發---子計畫III:鋁銦鎵氮化物微結構及光電特性分析(II)
The Optoelectronic and Microstruture Characterization of AlxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/GaN (II)
作者: 馮明憲
交通大學材料科學與工程研究所
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2218-E009-003
URI: http://hdl.handle.net/11536/101548
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=721239&docId=135543
顯示於類別:研究計畫