整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	CHANG CHUN-YEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:49:10Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:49:10Z	-
dc.date.issued	2009	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC98-2221-E009-003	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/101553	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1904979&docId=315708	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶結構之開發(II)	zh_TW
dc.title	Development of the III-Nitride High Power High Frequency HEMT Structures Grown by Integration of MBE and MOCVD Technologies(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫