高介電材料結合SONOS 之新穎非揮發性記憶體元件製作與物理特性研究(II)

标题:	高介电材料结合SONOS 之新颖非挥发性记忆体元件制作与物理特性研究(II) High-K Materials Combined with SONOS Nonvolatile Memory Device Fabrication and Physical Characteristics Research(II)
作者:	施敏 SZE SIMON MIN 国立交通大学电子工程学系及电子研究所
公开日期:	2009
官方说明文件#:	NSC98-2221-E009-002
URI:	http://hdl.handle.net/11536/101724 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1903569&docId=315422
显示于类别：	Research Plans

文件中的档案：

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.

APA	施., & SZE S. MIN (2009). 高介电材料结合SONOS 之新颖非挥发性记忆体元件制作与物理特性研究(II). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1903569&docId=315422.
Bibtex	@article{2009高介电材料结合SONOS, title={高介电材料结合SONOS 之新颖非挥发性记忆体元件制作与物理特性研究(II)}, author={施敏 and SZE SIMON MIN}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1903569&docId=315422}, year={2009}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/101724}, }