高介電材料結合SONOS 之新穎非揮發性記憶體元件製作與物理特性研究(II)

標題:	高介電材料結合SONOS 之新穎非揮發性記憶體元件製作與物理特性研究(II) High-K Materials Combined with SONOS Nonvolatile Memory Device Fabrication and Physical Characteristics Research(II)
作者:	施敏 SZE SIMON MIN 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2009
官方說明文件#:	NSC98-2221-E009-002
URI:	http://hdl.handle.net/11536/101724 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1903569&docId=315422
顯示於類別：	研究計畫

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