標題: | 以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板( II ) III-V Group Nitride Base Substrates Developed by Hydride Vapor Phase Epitaxy(II) |
作者: | 李威儀 LEE WEI-I 國立交通大學電子物理學系(所) |
公開日期: | 2008 |
官方說明文件#: | NSC97-2622-E009-002 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/101884 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1630473&docId=278550 |
顯示於類別: | 研究計畫 |