完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳宗麟 | en_US |
dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
dc.contributor.author | 成維華 | en_US |
dc.contributor.author | 鄭泗東 | en_US |
dc.contributor.author | 鄭時龍 | en_US |
dc.contributor.author | 黃士維 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:48Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:11:48Z | - |
dc.date.issued | 2013-09-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G05F003/02 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103208 | - |
dc.description.abstract | 本發明係提供一種電流限制電路裝置,係連接一氮化鎵電晶體之一閘極,該電流限制電路包含:二極體、第一電晶體、第二電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻,第一電晶體之源極與汲極係耦接於二極體,第二電晶體之汲極係耦接第一電晶體之閘極,第一電阻耦接二極體以及第一電晶體之源極,第二電阻一端耦接第二電晶體之源極,第三電阻一端耦接於第四電阻以及第一電晶體之閘極,另一端係耦接第二電晶體閘極,第一電晶體之汲極耦接於氮化鎵電晶體之閘極,當氮化鎵電晶體之閘極所流出之電流高於預定值時,第一電晶體係關閉,藉由限制該氮化鎵電晶體之閘極所流出之該電流,以提高該氮化鎵電晶體之崩潰電壓。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 電流限制電路裝置 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 201337500 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |