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dc.contributor.author陳宗麟en_US
dc.contributor.author張翼en_US
dc.contributor.author成維華en_US
dc.contributor.author鄭泗東en_US
dc.contributor.author鄭時龍en_US
dc.contributor.author黃士維en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:11:48Z-
dc.date.available2014-12-16T06:11:48Z-
dc.date.issued2013-09-16en_US
dc.identifier.govdocG05F003/02zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103208-
dc.description.abstract本發明係提供一種電流限制電路裝置，係連接一氮化鎵電晶體之一閘極，該電流限制電路包含：二極體、第一電晶體、第二電晶體、第一電阻、第二電阻、第三電阻，第一電晶體之源極與汲極係耦接於二極體，第二電晶體之汲極係耦接第一電晶體之閘極，第一電阻耦接二極體以及第一電晶體之源極，第二電阻一端耦接第二電晶體之源極，第三電阻一端耦接於第四電阻以及第一電晶體之閘極，另一端係耦接第二電晶體閘極，第一電晶體之汲極耦接於氮化鎵電晶體之閘極，當氮化鎵電晶體之閘極所流出之電流高於預定值時，第一電晶體係關閉，藉由限制該氮化鎵電晶體之閘極所流出之該電流，以提高該氮化鎵電晶體之崩潰電壓。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title電流限制電路裝置zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201337500zh_TW
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