完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 莊景德 | en_US |
| dc.contributor.author | 周世傑 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃威 | en_US |
| dc.contributor.author | 林宜緯 | en_US |
| dc.contributor.author | 蔡銘謙 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊皓義 | en_US |
| dc.contributor.author | 杜明賢 | en_US |
| dc.contributor.author | 石維強 | en_US |
| dc.contributor.author | 連南鈞 | en_US |
| dc.contributor.author | 李坤地 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:11:49Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:11:49Z | - |
| dc.date.issued | 2013-09-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | G11C011/417 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103213 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種以六電晶體架構組成之靜態隨機存取記憶體,其包含第一反相單元、第二反相單元第一傳送閘電晶體以及第二傳送閘電晶體。第一反相單元包含一第一升壓電晶體與一第一降壓電晶體。第二反相單元包含第二升壓電晶體與第二降壓電晶體。第二升壓電晶體之閘極係耦接第二降壓電晶體之閘極,第二升壓電晶體之汲極係耦接第二降壓電晶體之汲極。靜態隨機存取記憶體僅需藉由控制第一位元線、第二位元線、第一字元線、接地以及電壓源之輸入電壓,而不需改變製程中之物理參數,即可量測轉態電壓、讀取干擾電壓或寫入邊界。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 以六電晶體為基礎架構之靜態隨機記憶體陣列 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201335936 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
