形成一Ｔ型閘極結構的方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	黃祿哲	en_US
dc.contributor.author	張嘉華	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.contributor.author	成維華	en_US
dc.contributor.author	劉世謙	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:51Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:51Z	-
dc.date.issued	2013-07-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/336	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/28	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103236	-
dc.description.abstract	形成T型閘極結構的方法。首先，提供一半導體基材，並於半導體基材上形成一具有至少兩種顯影速率之光阻體結構。接著，根據一遮罩，圖案化光阻體結構，其中係對該光阻體結構進行斜向曝光，並根據該至少兩種顯影速率顯影曝光後之光阻體結構，來形成一光阻槽道並暴露出部分半導體基材，其中所形成之光阻槽道具有一相較於底部還要寬的上方部分。接著，將閘極材質回填於光阻槽道，並移除圖案化光阻體結構，形成該T型閘極結構。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	形成一Ｔ型閘極結構的方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201330111	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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