自組式金屬奈米島陣列之製作方法

標題:	自組式金屬奈米島陣列之製作方法
作者:	張原銘莊振益戴鴻名王浩偉曾文綬高斌栩張樂融
公開日期:	16-四月-2013
摘要:	一種自組式金屬奈米島陣列之製作方法，係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程，以形成一金屬奈米島陣列。利用此種製作方法，僅需單一濺鍍製程，即可完成金屬奈米島陣列的製作，相較於習知，不僅可有效減少繁瑣之製程步驟，更可進一步地節約能源、電力及製作成本。
官方說明文件#:	B82B003/00 B82Y040/00
URI:	http://hdl.handle.net/11536/103294
專利國:	TWN
專利號碼:	201315674
顯示於類別：	專利資料

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