標題: 用於減緩介金屬化合物成長之方法
作者: 陳智
杜經寧
蕭翔耀
公開日期: 16-二月-2013
摘要: 本發明係有關於一種用於減緩介金屬化合物成長之方法,步驟包含:(i)製備一基板元件,包括在一基板上電鍍至少一金屬墊層,接著在該金屬墊層上電鍍至少一很薄的一薄銲料,進行適當的熱處理製程;(ii)在該基板元件上再鍍上適當厚度的銲料;其中,該薄銲料經過適當的熱處理後,會與金屬墊之金屬反應形成一薄的介金屬化合物,因此可以在之後的迴銲製程抑制介金屬化合物的生成速率之效果,藉以減緩微小接點銲料與金屬墊上的金屬反應變成介金屬化合物。一旦介金屬化合物成長速率能被減緩,錫晶鬚(Sn whisker)的成長也可以被抑制。
官方說明文件#: H01L021/60
URI: http://hdl.handle.net/11536/103314
專利國: TWN
專利號碼: 201308451
顯示於類別:專利資料


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