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dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.author杜經寧en_US
dc.contributor.author蕭翔耀en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:11:59Z-
dc.date.available2014-12-16T06:11:59Z-
dc.date.issued2013-02-16en_US
dc.identifier.govdocH01L021/60zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103314-
dc.description.abstract本發明係有關於一種用於減緩介金屬化合物成長之方法,步驟包含:(i)製備一基板元件,包括在一基板上電鍍至少一金屬墊層,接著在該金屬墊層上電鍍至少一很薄的一薄銲料,進行適當的熱處理製程;(ii)在該基板元件上再鍍上適當厚度的銲料;其中,該薄銲料經過適當的熱處理後,會與金屬墊之金屬反應形成一薄的介金屬化合物,因此可以在之後的迴銲製程抑制介金屬化合物的生成速率之效果,藉以減緩微小接點銲料與金屬墊上的金屬反應變成介金屬化合物。一旦介金屬化合物成長速率能被減緩,錫晶鬚(Sn whisker)的成長也可以被抑制。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title用於減緩介金屬化合物成長之方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201308451zh_TW
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