完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author白田理一郎en_US
dc.contributor.author渡邊浩志en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:00Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:00Z-
dc.date.issued2013-01-01en_US
dc.identifier.govdocH01L021/145zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/335zh_TW
dc.identifier.govdocH01L027/088zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103335-
dc.description.abstract一種半導體裝置及其操作方法與應用電路。藉由調整施加於雙重井區上的偏壓,來降低控制閘極擴散層、源極擴散層與汲極擴散層之間的漏電流,進而提高應用半導體裝置之無電池電子計時器的準確性並降低生產成本。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半導體裝置及其操作方法與應用電路zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201301349zh_TW
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201301349.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。