非揮發性半導體記憶體裝置

Abstract

本發明提供一種非揮發性半導體記憶體裝置,具有共用背閘極的獨立雙閘極SONOS記憶胞陣列的非揮發性記憶體結構,可應用於三維積成的快閃記憶體上。此種結構由於獨立雙閘極的控制,具有改善短通道效應、高寫入或抹移除效率,及有效避免讀取干擾等操作特性上的優點,藉由共用背閘極以及無接面的特性,可大幅簡化製程。