Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 冉曉雯 | en_US |
| dc.contributor.author | 孟心飛 | en_US |
| dc.contributor.author | 蔡武衛 | en_US |
| dc.contributor.author | 趙宇強 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:03Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:03Z | - |
| dc.date.issued | 2012-10-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/10 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/18 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103380 | - |
| dc.description.abstract | 一種垂直式光電元件,係包括:基板、設於該基板上的第一電極層、設於該第一電極層上的圖案化絕緣層、設於該圖案化絕緣層上的金屬層、設於該第一電極層上的半導體層、以及設於該半導體層上的第二電極層,該半導體層係包覆該圖案化絕緣層與金屬層。本發明所構成之垂直式光感測元件係具有垂直式電晶體的低操作電壓及光二極體的高反應速度兩者之優點,且本發明亦可構成發光電晶體元件。本發明復提供一種垂直式光電元件之製法。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 垂直式光電元件及其製法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201240124 | zh_TW |
| Appears in Collections: | Patents | |
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