標題: 垂直式光電元件及其製法
作者: 冉曉雯
孟心飛
蔡武衛
趙宇強
公開日期: 1-十月-2012
摘要: 一種垂直式光電元件,係包括:基板、設於該基板上的第一電極層、設於該第一電極層上的圖案化絕緣層、設於該圖案化絕緣層上的金屬層、設於該第一電極層上的半導體層、以及設於該半導體層上的第二電極層,該半導體層係包覆該圖案化絕緣層與金屬層。本發明所構成之垂直式光感測元件係具有垂直式電晶體的低操作電壓及光二極體的高反應速度兩者之優點,且本發明亦可構成發光電晶體元件。本發明復提供一種垂直式光電元件之製法。
官方說明文件#: H01L031/10
H01L031/18
URI: http://hdl.handle.net/11536/103380
專利國: TWN
專利號碼: 201240124
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201240124.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。