| 標題: | 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法 |
| 作者: | 張翼 許恒通 |
| 公開日期: | 1-五月-2012 |
| 摘要: | 一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/8232 H01L021/335 H01L027/085 H01L029/778 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103461 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201218319 |
| 顯示於類別: | 專利資料 |
