一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法

Abstract

本發明揭露一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法，在特定溫度和壓力的環境中，於氮化物半導體磊晶層上通入特定的蝕刻氣體，經過特定的時間，可於氮化物半導體磊晶層表面產生特定的形貌。本發明可直接在氮化物半導體之表面產生圖樣化結構，可大幅降低製造成本。