一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法

標題:	一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法
作者:	李威儀徐瑩珈葉彥顯陳奎銘
公開日期:	1-九月-2013
摘要:	本發明揭露一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法，在特定溫度和壓力的環境中，於氮化物半導體磊晶層上通入特定的蝕刻氣體，經過特定的時間，可於氮化物半導體磊晶層表面產生特定的形貌。本發明可直接在氮化物半導體之表面產生圖樣化結構，可大幅降低製造成本。
官方說明文件#:	H01L021/3065
URI:	http://hdl.handle.net/11536/105319
專利國:	TWN
專利號碼:	I407506
顯示於類別：	專利資料

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