一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李威儀	en_US
dc.contributor.author	徐瑩珈	en_US
dc.contributor.author	葉彥顯	en_US
dc.contributor.author	陳奎銘	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:15:26Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:15:26Z	-
dc.date.issued	2013-09-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/3065	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105319	-
dc.description.abstract	本發明揭露一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法，在特定溫度和壓力的環境中，於氮化物半導體磊晶層上通入特定的蝕刻氣體，經過特定的時間，可於氮化物半導體磊晶層表面產生特定的形貌。本發明可直接在氮化物半導體之表面產生圖樣化結構，可大幅降低製造成本。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一種氮化物半導體磊晶層的表面處理方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I407506	zh_TW
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