| 標題: | 電阻式隨存記憶體之製作方法 |
| 作者: | 曾俊元 王聖裕 蔡承翰 |
| 公開日期: | 16-七月-2011 |
| 摘要: | 本發明提供一種電阻式隨存記憶體之製作方法，包含：(a)於一基材上形成一第一電極；(b)於該第一電極上以一175℃至225℃的製程溫度形成一氧化鋯之可變電阻層；及(c)於該可變電阻層上形成一Ti的第二電極。 |
| 官方說明文件#: | H01L027/24 H01L045/00 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103568 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201125114 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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