電阻式隨存記憶體之製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	曾俊元	en_US
dc.contributor.author	王聖裕	en_US
dc.contributor.author	蔡承翰	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:18Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:18Z	-
dc.date.issued	2011-07-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L027/24	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L045/00	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103568	-
dc.description.abstract	本發明提供一種電阻式隨存記憶體之製作方法，包含：(a)於一基材上形成一第一電極；(b)於該第一電極上以一175℃至225℃的製程溫度形成一氧化鋯之可變電阻層；及(c)於該可變電阻層上形成一Ti的第二電極。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	電阻式隨存記憶體之製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201125114	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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