於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	唐士軒	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:43Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:43Z	-
dc.date.issued	2010-06-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L031/18	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/20	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103740	-
dc.description.abstract	本發明係在矽基板上成長矽鍺層，並在其上成長三五族化合物半導體太陽能電池。首先在矽晶片上使用矽離子佈植方法以促進矽晶片和矽鍺磊晶層的鬆弛，降低矽鍺磊晶層的厚度，再於矽基板上生長無應力的P型摻雜矽鍺緩衝層，藉以降低三五族高效率太陽能電池生產成本。並於矽鍺緩衝層上形成三五族高效率太陽能電池。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	於矽晶片上形成太陽能電池之矽鍺層的方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201021230	zh_TW
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